Cтандартный набор технологических процессов и правила проектирования доступны по запросу. Изготовление кристалла микросхемы с использованием стандартных процессов занимает 4 недели. Изготовление МЭМС по стандартным процессам занимает 2 недели.
Время, требуемое для изготовления прототипов и разработку технологии, рассчитывается для каждой задачи индивидуально.
Мы готовы рассмотреть возможность сотрудничества последующиим процессам для изготовления микросхем и МЭМС:
1. Литография
- Контактная и проекционная литография на длине волны 365 нм;
- DUV литография (248 nm, только малые партии, для прототипирования)
- электронно-лучевая литография (малые партии, для прототипирования)
- импринтная литография (минимальный элемент 50 нм)
2. Формирование слоёв
- термическое окисление кремния
- пиролитическое осаждениеSi,Si3N4, SiO2, Al2O3 (другие плёнки по запросу).
- атомно-слоевое осаждение металлов
- гальваническое и химическое осаждение Cu, Ni, Au, Sn
- напыление металлов (Al, Cu, Au, Ti)
- сварка пластин (анодная, непосредственная, через полимеры)
3. Травление
- жидкостное травление в кислотах и щелочах
- реактивно-ионное травление Al, Si3N4, SiO2
- глубокое травление кремния (до 525 мкм)
4. Легирование
- диффузия (газообразные и твёрдые источники, SOD)
- ионная имплантация (B, P)
5. Полировка
- ХМП планаризацияSiO2
- ХМП кремния
- ХМП металлов (Cu, W)
